今天凌晨的特斯拉投資者會議日上，馬斯克及一眾高管密集介紹了特斯拉以及能源方面的進(jìn)展，馬斯克10萬億美元拯救地球的計劃畫餅不小，但是他關(guān)于未來電動車平臺的稀土、碳化硅表態(tài)引發(fā)了震動。馬斯克表示未來將開發(fā)不適用稀土元素的下一代永磁電機(jī)，同時下一
今天凌晨的特斯拉投資者會議日上，馬斯克及一眾高管密集介紹了特斯拉以及能源方面的進(jìn)展，馬斯克10萬億美元拯救地球的計劃畫餅不小，但是他關(guān)于未來電動車平臺的稀土、碳化硅表態(tài)引發(fā)了震動。
馬斯克表示未來將開發(fā)不適用稀土元素的下一代永磁電機(jī)，同時下一代平臺還會減少75%的碳化硅，這一表態(tài)今天直接導(dǎo)致國內(nèi)的稀土及第三代半導(dǎo)體板塊多家公司股價跳水，其中天岳先進(jìn)股價下跌了10%，納芯微跌逾9%，乾照光電、偉測科技、甬矽電子、芯原股份、芯朋微等跌超4%。
第一財經(jīng)致電天岳先進(jìn)公司，得到的回應(yīng)稱公司表示早上剛看到**，二級市場的股價確實受到了影響，其他影響還沒法衡量。
據(jù)官網(wǎng)介紹，天岳先進(jìn)是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)，被稱為“國內(nèi)碳化硅第一股”。
碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備更好的物理性能，比如耐高溫、高電壓、高頻率等場景。
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復(fù)雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進(jìn)行，且微小的環(huán)境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。
本文由小編網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載而成,原文來源:http://www.techweb.com.cn/it/2023-03-02/2921383.shtml,如有侵權(quán),請聯(lián)系刪除
今天凌晨的特斯拉投資者會議日上，馬斯克及一眾高管密集介紹了特斯拉以及能源方面的進(jìn)展，馬斯克10萬億美元拯救地球的計劃畫餅不小，但是他關(guān)于未來電動車平臺的稀土、碳化硅表態(tài)引發(fā)了震動。
馬斯克表示未來將開發(fā)不適用稀土元素的下一代永磁電機(jī)，同時下一代平臺還會減少75%的碳化硅，這一表態(tài)今天直接導(dǎo)致國內(nèi)的稀土及第三代半導(dǎo)體板塊多家公司股價跳水，其中天岳先進(jìn)股價下跌了10%，納芯微跌逾9%，乾照光電、偉測科技、甬矽電子、芯原股份、芯朋微等跌超4%。
第一財經(jīng)致電天岳先進(jìn)公司，得到的回應(yīng)稱公司表示早上剛看到**，二級市場的股價確實受到了影響，其他影響還沒法衡量。
據(jù)官網(wǎng)介紹，天岳先進(jìn)是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)，被稱為“國內(nèi)碳化硅第一股”。
碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備更好的物理性能，比如耐高溫、高電壓、高頻率等場景。
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復(fù)雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進(jìn)行，且微小的環(huán)境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。
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馬斯克表示未來將開發(fā)不適用稀土元素的下一代永磁電機(jī)，同時下一代平臺還會減少75%的碳化硅，這一表態(tài)今天直接導(dǎo)致國內(nèi)的稀土及第三代半導(dǎo)體板塊多家公司股價跳水，其中天岳先進(jìn)股價下跌了10%，納芯微跌逾9%，乾照光電、偉測科技、甬矽電子、芯原股份、芯朋微等跌超4%。
第一財經(jīng)致電天岳先進(jìn)公司，得到的回應(yīng)稱公司表示早上剛看到**，二級市場的股價確實受到了影響，其他影響還沒法衡量。
據(jù)官網(wǎng)介紹，天岳先進(jìn)是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)，被稱為“國內(nèi)碳化硅第一股”。
碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備更好的物理性能，比如耐高溫、高電壓、高頻率等場景。
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復(fù)雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進(jìn)行，且微小的環(huán)境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。
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馬斯克表示未來將開發(fā)不適用稀土元素的下一代永磁電機(jī)，同時下一代平臺還會減少75%的碳化硅，這一表態(tài)今天直接導(dǎo)致國內(nèi)的稀土及第三代半導(dǎo)體板塊多家公司股價跳水，其中天岳先進(jìn)股價下跌了10%，納芯微跌逾9%，乾照光電、偉測科技、甬矽電子、芯原股份、芯朋微等跌超4%。
第一財經(jīng)致電天岳先進(jìn)公司，得到的回應(yīng)稱公司表示早上剛看到**，二級市場的股價確實受到了影響，其他影響還沒法衡量。
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碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具備更好的物理性能，比如耐高溫、高電壓、高頻率等場景。
碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能，可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能，在電力電子以及微波電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。
但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復(fù)雜的制備工藝，碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進(jìn)行，且微小的環(huán)境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。
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